長江存儲(chǔ)128層閃存研發(fā)成功
長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號： X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），以滿足不同應(yīng)用場景的需求。（財(cái)聯(lián)社）
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