美光起訴聯(lián)電竊密案宣判：聯(lián)電被罰 1 億元新臺幣，三名員工被判刑

6 月 14 日消息 美光控告中國臺灣晶圓代工巨頭聯(lián)電幫中國晉華竊取 DRAM 制程案，12 日臺中地院做出判決，聯(lián)電 3 名主管最高遭判刑 6 年半，聯(lián)電也被判罰 1 億元。

臺媒《科技新報》報道，臺中法院 6 月 12 日就全球前 4 大晶圓代工廠之一的臺灣聯(lián)電被控，協(xié)助中國福建晉華以竊取美商科技大廠美光（Micron）動態(tài)隨機存取記憶體（DRAM）生產技術一案作出判決，涉案的戎樂天、何建廷、王永銘等 3 人被處以 4 年半到 6 年半的徒刑。

曾經任職臺灣美光總經理與聯(lián)電副總的中國福建晉華總經理陳正坤，檢方以另案進行調查，而聯(lián)電被處以新臺幣 1 億元的罰款。

了解到，案件起源于 2016 年，當時聯(lián)電與中國福建晉華集成電路公司簽署技術合作協(xié)定，協(xié)助中國福建晉華開發(fā) 32 納米 DRAM 相關制程技術。之后，中國臺灣美光的 3 名高階主管隨即轉任聯(lián)電，引發(fā)商業(yè)間諜案疑云，最終導致美光、聯(lián)電與中國福建晉華之間在美國、中國臺灣以及中國大陸 3 地的司法控訴。

目前，除了臺灣方面已起訴相關人等，美光同樣于美國提告，并在 2018 年 11 月 1 日正式起訴中國福建晉華、聯(lián)電以及陳正坤、何建廷、王永銘共謀竊取、傳輸，以及持有美光的營業(yè)秘密和經濟間諜罪。一旦相關罪名成立，包括陳正坤等被起訴人將面臨經濟間諜罪最重 15 年徒刑以及 500 萬美元罰款。另外，此案還涉及竊取營業(yè)秘密罪，涉案人面臨最重 10 年的徒刑。

值得注意的是，聯(lián)電和中國福建晉華一旦在美國被控罪名成立，可能面臨最高 200 億美元的罰款。

聯(lián)電對此表示，并未違反營業(yè)秘密法，將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴。